君仁辰科技

• 1月22日两融净买入前十：工业富联、寒武纪 2025-01-23 23:13:17
• 融资净买入前十的股票分别为：工业富联、寒武纪、贵州茅台、东山精密、汇金科技、平安银行、苏州银行、长江电力、兴业银行、迈瑞医疗。....阅读全文
• 港股异动 上海电气涨超10% 与国地中心签约共建人形机器人具身智能训练场 2025-01-23 23:12:56
• 上海电气涨超10%，截至发稿，涨10.38%，报2.87港元，成交额1.78亿港元。 消息面上，1月21日上午，国家地方共建人形机器人创新中心麒麟具身智能训练场启动仪式在沪举行，全国首个异构人形机器人训练场正式启用。国地中心与上海电气中央研究院、上海仪电等十家....阅读全文
• 高盛：维持港交所“买入”评级 目标价395港元 2025-01-23 23:12:27
• 高盛发布研究报告称，维持港交所买入评级，预计2024-2026年港交所每股盈利各为10.24元、10.09元及10.4元。根据股息贴现模型维持目标价395港元。该行下调港交所2024/25年每股盈利预测0.1%及0.7%，上调2026年每股盈利预测0.1%，并纳入已公布2024年12月数据、20....阅读全文
• 长鑫存储申请半导体结构及其制备方法专利，提供一种新的半导体结构制备途径 2025-01-23 21:40:09
• 国家知识产权局信息显示，长鑫存储技术有限公司申请一项名为半导体结构及其制备方法的专利，公开号CN 119277765 A，申请日期为2023年6月。 专利摘要显示，本公开实施例提供一种半导体结构及其制备方法，其中，半导体结构的制备方法包括：提供基底；在其厚度....阅读全文
• 长鑫存储申请半导体结构的形成方法专利，降低半导体结构的制造成本 2025-01-23 21:39:21
• 国家知识产权局信息显示，长鑫存储技术有限公司申请一项名为半导体结构的形成方法的专利，公开号CN 119277766 A，申请日期为2023年6月。 专利摘要显示，本公开涉及一种半导体结构的形成方法。所述半导体结构的形成方法包括如下步骤：提供衬底，衬底包括阵列....阅读全文
• 长江存储申请半导体器件及其制备方法、存储系统专利，提升半导体器件性能 2025-01-23 21:38:58
• 国家知识产权局信息显示，长江存储科技有限责任公司申请一项名为半导体器件及其制备方法、存储系统的专利，公开号CN 119277786 A，申请日期为2023年7月。 专利摘要显示，本申请提供半导体器件及其制备方法、存储系统。半导体器件包括：导电层、叠层结构和沟....阅读全文
• 华为申请存储器及其制备方法、电子设备专利，改善位于存储阵列边缘区域的晶体管性能退化 2025-01-23 21:38:15
• 国家知识产权局信息显示，华为技术有限公司申请一项名为存储器及其制备方法、电子设备的专利，公开号CN 119277794 A，申请日期为2023年7月。 专利摘要显示，本申请公开一种存储器及其制备方法、电子设备，涉及半导体存储技术领域。存储器包括衬底、多个存储....阅读全文
• 深圳市郑中设计取得用于建筑大厦绿色节能的感应式门廊灯具专利，保障较大感应范围又避免脚步较轻无法及时照 2025-01-23 21:37:55
• 国家知识产权局信息显示，深圳市郑中设计股份有限公司取得一项名为用于建筑大厦绿色节能的感应式门廊灯具的专利，授权公告号 CN 222316917 U，申请日期为 2024年5月。 专利摘要显示，本实用新型涉及照明技术领域，尤其涉及用于建筑大厦绿色节能的感应式门廊....阅读全文
• 宁波石墨烯创新中心申请增强型氮化物半导体晶体管结构专利，有效耗尽沟道层中的二维电子气 2025-01-23 21:37:24
• 国家知识产权局信息显示，宁波石墨烯创新中心有限公司申请一项名为一种增强型氮化物半导体晶体管结构的专利，公开号CN 119277804 A，申请日期为2024年9月。 专利摘要显示，本发明涉及一种增强型氮化物半导体晶体管结构，属于半导体技术领域，包括外延结构，....阅读全文
• 联华电子申请半导体结构及其制造方法专利，提高半导体结构性能 2025-01-23 21:37:03
• 国家知识产权局信息显示，联华电子股份有限公司申请一项名为半导体结构及其制造方法的专利，公开号CN 119277808 A，申请日期为2023年7月。 专利摘要显示，本发明公开一种半导体结构及其制造方法，其中该半导体结构包括基板、源极区、漏极区以及栅极结构。源....阅读全文