国家知识产权局信息显示，爱思开海力士有限公司申请一项名为“具有堆叠成阶梯的存储器设备的半导体封装件”的专利，公开号 CN 119277796 A，申请日期为2023年12月。
专利摘要显示，本公开涉及具有堆叠成阶梯的存储器设备的半导体封装件。一种半导体封装件包括：具有结合指的基板；安装在基板上的主存储器芯片；以及堆叠在主存储器芯片上方的从存储器芯片。主存储器芯片包括：邻近主存储器芯片的第一侧边缘设置的主外部焊盘和主内部焊盘；以及邻近主存储器芯片的第二侧边缘设置的主功率焊盘。从存储器芯片包括：邻近从存储器芯片的第一侧边缘设置的从外部焊盘和从内部焊盘；以及邻近从存储器芯片的第二侧边缘设置的从功率焊盘。结合指的一部分通过外部结合接线电连接到主外部焊盘。主内部焊盘通过内部结合接线分别电连接到从内部焊盘，并且从外部焊盘被浮置。