您现在的位置：主页 > 趋势 >

三星首批3纳米GAA芯片出货

标签： 日期：2022-07-25 15:49来源:未知作者:admin
7月25日上午，在三星电子位于京畿道华城厂区，适用新一代全环绕栅极（Gate-All-Around）技术的全球首款3纳米芯片产品出厂纪念活动举行。

　　7月25日上午，在三星电子位于京畿道华城厂区，适用新一代全环绕栅极（Gate-All-Around）技术的全球首款3纳米芯片产品出厂纪念活动举行。

顶一下
(0)
0%
踩一下
(0)
0%
相关文章
共有人强势围观，期待你的评论！评论区
小提示: 本站的评论不需要审核，即发即显，有什么话你就尽管说吧，但不要过激哦，以免遭跨省处理！

验证码:点击我更换图片 匿名评论
最新评论
最近更新
热门排行
推荐阅读
| 资讯源自网络仅供参考 如有版权问题请联系管理员删除 |
2011-2025 君仁辰科技 ttwqschooL.com 版权所有